Intel преодолела ограничение инкапсуляции для создания больших чипов Компания Intel решила ключевую проблему инкапсуляции при производстве сверхкрупных процессоров (HLFF) размером 240х240 мм (эквивалент 24 размеров фотошаблона). Ограничение заключалось в том, что герметизирующий материал не мог затекать на расстояние более 22–43 мм без образования пустот и дефектов. Инженеры обошли этот барьер за счет состава с пониженной вязкостью, многоточечного нанесения состава и оптимизированного процесса затвердевания. Технологию уже успешно протестировали: в упаковке на 18 чиплетов (включая 12 стеков HBM) с габаритами свыше 5 фотошаблонов удалось добиться полного отсутствия пустот при затекании состава на 40 мм. Новые методы упаковки (EMIB и Foveros), разрабатываемые на фабрике Fab 9 в Нью-Мексико, позволят создавать системы на кристалле с энергопотреблением до 15–25 кВт и охлаждением модульного типа. В ближайших планах Intel — масштабирование упаковки до 12 фотошаблонов, а затем и перенос процессов на стеклянные подложки (Panel-Level Packaging).

Законодатели США требуют полностью запретить китайские чипы памяти CXMT и YMTC Американские конгрессмены обратились к Министерству торговли США с требованием заблокировать любые закупки чипов памяти у китайских CXMT и YMTC. Поводом стало стремление Apple и других гигантов договориться о поставках DRAM и 3D NAND из Китая на фоне глобального дефицита чипов, вызванного бумом ИИ. Законодатели призывают запретить импорт чипов не только в США, но и в цепочки поставок из Японии, Южной Кореи и ЕС. По их мнению, закупки у китайских фабрик субсидируют военный сектор КНР и угрожают повторением сценария рынка солнечных батарей, где субсидируемый Пекином демпинг уничтожил западных конкурентов.

LG запустила продажи установок лазерной литографии без фотошаблонов LG начала поставлять коммерческие системы лазерной литографии LDI, которые формируют схемы на пластинах без применения дорогих фотошаблонов. Установка использует 405-нм ультрафиолетовый лазер и массив микрозеркал DMD, позволяя выжигать элементы размером от 1,5 до 3 мкм напрямую на подложке. Главное новшество — система компенсации Real-Time Active Compensation. Она на ходу устраняет деформацию материалов, позволяя работать с заготовками размером до 600 × 600 мм. Технологию планируют применять в продвинутой упаковке чипов и производстве памяти HBM для ИИ-ускорителей.

Посткремниевые технологии: ученые научились управлять током световыми импульсами Американские исследователи сделали еще один шаг к созданию электроники, работающей на скоростях, недоступных современным кремниевым чипам. Ученые из Университета Мичигана разработали полупроводниковое устройство, которое способно преобразовывать световые импульсы в направленный электрический ток без использования внешнего электрического поля. Более того, направление движения электронов можно изменять практически мгновенно, управляя параметрами лазерного излучения — скорость этого переключения примерно в 1 тыс. раз быстрее лучших современных транзисторов. https://hightech.plus/2026/07/29/postkremnievie-tehnologii-uchenie-nauchilis-upravlyat-tokom-svetovimi-impulsami

КCXMT отстранила связанных с Huawei инженеров из-за спора о ценах на память Производитель памяти CXMT отказался снижать цены для Huawei и закрыл доступ в свой исследовательский центр инженерам компании SiCarrier. SiCarrier тесно связана с Huawei и помогала обслуживать оборудование на фабрике в Хэфэе. Конфликт возник из-за условий поставок. Высокий спрос на оперативную память позволил CXMT заключить крупные контракты с ByteDance и Tencent. При этом для Huawei компания несколько месяцев повышала ценник. Попытки Huawei добиться скидок привела к спору, в результате которого специалистов SiCarrier попросили собрать инструменты и покинуть R&D-зону CXMT.

TSMC с 2027 года повысит цены на чипы до 10% Крупнейший контрактный производитель чипов в мире планирует поднять цены на 5–10% с 2027 года, чтобы компенсировать рост затрат на материалы, оборудование и строительство заводов за рубежом (т.е. в США). Переговоры с клиентами прошли в июне–июле 2026 года. Для 7-нм и более тонких техпроцессов (77% выручки TSMC) базовое повышение составит 5–10%. Для дополнительных заказов HPC-чипов сверх прогнозов добавят премию 10–15%. Для зрелых техпроцессов (12 нм, 16 нм, 28 нм) — до 10%. Ну, что, как и все последние 35 лет продолжаем скидываться всей планетой на технологический суверенитет самой демократичной демократии мира. Во славу демократии, конечно.

Строительство заводов TSMC в США обходится в 4–5 раз дороже, чем на Тайване Финансовый директор TSMC Венделл Хуан признал, что возведение фабрик в Аризоне в 4–5 раз дороже, чем на Тайване. Компания уже инвестировала $100 млрд в четыре новых объекта в США. Первая фаза (N4) работает с выходом годных на уровне тайваньской, вторая (N3) заработает во второй половине 2027 года. Передовые техпроцессы (2 нм и тоньше) пока остаются на Тайване из-за необходимости тесной интеграции R&D с производством. Ранее аналитики высчитывали, что стоимость одной кремниевой пластины в США примерно в 2,4 раза выше, чем на Тайване из-за всей суммы факторов, включая зарплаты рабочих и логистику.Из-за этого разрыва в себестоимости валовая маржинальность с одной пластины в США составляет всего 8% против 62% на Тайване. Грубо говоря, прибыль с каждой пластины в США примерно в 8 раз меньше. TSMC компенсирует эти издержки, устанавливая на американские чипы премию в 25–30% к цене тайваньских.

TSMC подтвердила запуск опытного производства по техпроцессу 1,4 нм в 2027 году Taiwan Semiconductor Manufacturing Co на конференции для инвесторов подтвердила, что разработка техпроцесса A14 1,4-нм класса идет с некоторым опережением графика — компания уверенно продвигается к опытному производству в 2027 году и массовому — в 2028 году. Новый техпроцесс предложит до 15% прирост производительности или до 30% экономию энергии по сравнению с текущим 2-нм узлом N2. А ожидаемые объемы производства значительно превзойдут показатели техпроцесса 2 нм — интерес ключевых партнеров TSMC к технологии в 4 раза выше. https://hightech.plus/2026/07/20/tsmc-podtverdila-zapusk-opitnogo-proizvodstva-po-tehprocessu-14-nm-v-2027-godu

Узкое место всех чипов смогли преодолеть Полупроводник хорошо проводит ток внутри себя — но чтобы ток туда попал, нужен металлический электрод. А на границе с металлом заряды упираются в стену. Это контактное сопротивление: энергия тратится впустую, выделяется тепло, а выигрыш от уменьшения транзистора съедается. Чем мельче чип, тем хуже. А у передовой техники размеры транзисторов исчисляются нанометрами. Особенно достаётся двумерным полупроводникам — в один-два атомных слоя толщиной. На них вся надежда, когда кремний упрётся в предел, но они слишком тонкие: контакт не приделаешь, не повредив материал. Учёные из KAIST решили не приделывать его вообще. Команда взяла диселенид платины (PtSe₂): его электронное поведение зависит от толщины — плёнка потолще ведёт себя как полуметалл, потоньше как полупроводник. Обе роли выращиваются в одном непрерывном листе, без стыка двух веществ. Структура монолитная: заряду не надо перепрыгивать из материала в материал, он просто едет дальше. После проверки они увидели: заряды идут из полуметаллической зоны в полупроводниковую, не спотыкаясь и не сворачивая. Раньше такое никто напрямую не показывал. Мало того. Приложив электрическое поле к полупроводниковой части, током смогли управлять — структура умеет не только проводить, но и переключать. А это уже транзистор. Кажется, исследователи смогли найти материал для транзисторов будущего. Ждём дальнейших исследований! @vselennayaplus

Китайская CXMT планирует догнать Micron по мощностям DRAM к концу 2026 года Согласно отчёту Citrini Research, к концу 2026 года CXMT выйдет на 350 тыс. пластин DRAM в месяц. Micron к тому же времени доведёт объём до 375 тыс. пластин. Небольшая историческая справка: CXMT основана в 2016 году, Micron — в 1978-м. CXMT заявляет, что строит чистые помещения для литографии за 12 месяцев, тогда как конкуренты тратят 21–24 — и всё это под торговыми рестрикциями США, без доступа к EUV, т.е. на DUV-сканерах с мультипаттернингом. Сейчас у CXMT два завода с мощностью около 300 тыс. пластин. Рост на 17% к концу года возможен, но даже при этом CXMT остаётся четвёртым игроком после Samsung, SK hynix и Micron по технологиям и доле рынка. Пока лидеры переключают мощности на HBM для AI, CXMT наращивает выпуск DDR5 и LPDDR5 — именно там образовался дефицит.

Китайский стартап готов к серийному выпуску двумерных проводников без технологии EUV Основной способ производства современных микросхем — фотолитография в экстремальном ультрафиолете (EUV). Китай, отрезанный от этой технологии экспортными ограничениями, столкнулся с серьезным препятствием на пути к развитию собственной полупроводниковой промышленности. Однако шанхайский стартап «Юаньцзивэй» полагает, что без EUV можно обойтись. Компания представила первую в мире пилотную линию для производства двумерных полупроводников — технологии, которая использует принципиально иные материалы и методы. https://hightech.plus/2026/07/13/kitaiskii-startap-gotov-k-seriinomu-vipusku-dvumernih-provodnikov-bez-tehnologii-euv

Импортозамещение в действии: Huawei строит собственный мегазавод по производству DRAM-памяти Huawei при поддержке правительства Китая запускает строительство крупного завода по производству оперативной памяти в Шэньчжэне. Этот шаг направлен на создание полностью независимой цепочки поставок и защиту от американских технологических санкций. Новая фабрика сосредоточится на выпуске 12-дюймовых кремниевых пластин памяти DRAM по 28-нанометровому техпроцессу. Проектная мощность предприятия впечатляет — инженеры планируют выйти на показатель в 140 000 пластин ежемесячно. Запуск этого гиганта позволит Huawei полностью перекрыть собственные потребности в ОЗУ и окончательно избавиться от зависимости от зарубежных чипмейкеров в лице южнокорейских SK Hynix и Samsung, а также американской Micron.

Глава SK hynix предупредил о сильнейшем дефиците памяти в истории — 2027 год станет пиком Генеральный директор SK hynix (и председатель корейской ассоциации гандбола по совместительству) Квак Но Чжон заявил Reuters, что мировой рынок памяти ожидает худший в истории дефицит предложения. По его словам, спрос на память будет превышать производственные возможности компании даже после 2030 года, несмотря на агрессивное расширение мощностей. По данным Morgan Stanley, NVIDIA зарезервировала около 60% мощностей CoWoS TSMC на 2026 год, забронировав 800–850 тыс. пластин. При этом гендиректор TSMC предупредил, что мощности 3 нм расписаны до середины 2027 года — 175 тыс. пластин в месяц оказалось недостаточно. SK hynix, Samsung и Micron — переориентируют мощности на HBM. Дополнительно рынок «сжимают» долгосрочные контракты, резервирующие мощности под крупных клиентов. TrendForce прогнозирует рост контрактных цен на DRAM в третьем квартале 2026 года на 15–18%. Это приведёт к удорожанию сборки и апгрейда ПК.

Корейцы научились укладывать в стопку более 10 сверхтонких чипов Учёные из POSTECH (Южная Корея) совместно с KITECH показали технологию, которая укладывает в один пакет больше десяти кремниевых чипов толщиной около 14 мкм (это в пять раз тоньше волоса). Процесс идёт при температуре ниже 180 °C и давлении менее 20 кПа, что почти не гнёт пластину и не даёт трещин. Главная фишка: перенос кристалла и формирование металлических контактов совмещены в один шаг — раньше это делали отдельно. В тестах плотность интеграции оказалась примерно в 4 раза выше, чем у традиционной 12-слойной HBM. Технология пригодится для ИИ-ускорителей, чиплетов и Micro LED-дисплеев.