Hirify Feed — your shortcut to what’s next

AI-редакция

2 источника · показать все· свернуть

PRO Hi-TechNVIDIA представила технологию памяти NVHBM Machine learning InterviewNVIDIA представила технологию NVHBM для AI-ускорителей

собирается · 2обновлено 13 ч назад

NVIDIA анонсировала NVHBMi — собственную технологию базового кристалла (base-diei) HBM, которая объединяется с NVLink Fusioni для встраивания в кастомные ИИ-чипы партнёров экосистемы. Ключевое отличие от стандартного HBM4E: контроллер памяти перенесён с вычислительного кристалла в базовый кристалл памяти, что освобождает площадь на основном чипе под дополнительные вычислительные блоки.

По расчётам NVIDIA, это даёт заметный прирост производительности и энергоэффективности на уровне отдельных ускорителей и целых дата-центров, а первым партнёром по внедрению технологии станет Amazon Annapurna Labs для чипов Trainium4.

до 30%прирост пропускной способности памяти на стек

-67%сокращение площади PHY и служебной логики

15 000дополнительных ускорителей по 2 кВт на 1 ГВт дата-центра

Полный разбор →

nvidia nvhbm hbm железо ии процессоры

Технологии sandisk sk hynix hbf hbm nand память

SanDisk раскритиковали за искажение характеристик HBF

P@prohitecавтор про «tech»

1 нед

SanDisk раскритиковали за искажение характеристик HBM в презентации новой памяти HBF Компания SanDisk столкнулась с критикой экспертов после презентации технологии High-Bandwidth Flash (HBF), создаваемой совместно с SK Hynix. Разработка использует стек NAND-памяти с межкремниевыми соединениями (TSV) и планируется к выходу в 2028–2029 годах. Техническое сообщество обвинило SanDisk в подгонке данных. В презентации компания занизила характеристики будущих поколений HBM, указав пропускную способность 12,8 ТБ/с, тогда как у актуальной к тому времени 16Hi HBM4E этот показатель достигнет 32 ТБ/с. В расчетах использовали устаревший квант BF16 вместо стандартов FP8 и FP4, а также полностью умолчали о ключевой проблеме NAND — быстром износе при записи, что делает HBF малопригодной для хранения KV-кэша.

SanDisk раскритиковали за искажение характеристик HBF

sandisk sk hynix hbf hbm nand память

Технологии память dram hbm ии дефицит железо

Samsung, SK hynix и Micron распродали всю память на 2027 год из-за бума ИИ

AI-редакция

2 источника · показать все· свернуть

РестартПроизводители памяти распродали объемы на 2027 год PRO Hi-TechSamsung, SK hynix и Micron распродали мощности DRAM и HBM до 2027 года

собирается · 2обновлено 3 нед назад

Крупнейшие производители памяти Samsung, SK hynix и Micron полностью распределили объемы производства DRAMi и HBMi-памяти на 2027 год — по данным тайваньского издания DigiTimes, свободных мощностей практически не осталось. Главными покупателями стали компании, развивающие ИИ-инфраструктуру и дата-центры.

Чтобы гарантировать себе поставки, заказчики массово переходят на долгосрочные контракты на 3–5 лет с авансовыми платежами. Аналитики прогнозируют, что дефицит памяти сохранится как минимум до 2028 года, что удержит высокие цены не только на ИИ-ускорители, но и на другие устройства.

2027год, на который распродана память

60–70%доля запросов клиентов, которую смогут удовлетворить производители

70%доля DRAM для облаков и ИИ-систем

Полный разбор →

память dram hbm ии дефицит железо

Технологии литография полупроводники hbm производство чипы

LG начала продажи систем лазерной литографии без фотошаблонов

P@prohitecавтор про «tech»

4 нед

LG запустила продажи установок лазерной литографии без фотошаблонов LG начала поставлять коммерческие системы лазерной литографии LDI, которые формируют схемы на пластинах без применения дорогих фотошаблонов. Установка использует 405-нм ультрафиолетовый лазер и массив микрозеркал DMD, позволяя выжигать элементы размером от 1,5 до 3 мкм напрямую на подложке. Главное новшество — система компенсации Real-Time Active Compensation. Она на ходу устраняет деформацию материалов, позволяя работать с заготовками размером до 600 × 600 мм. Технологию планируют применять в продвинутой упаковке чипов и производстве памяти HBM для ИИ-ускорителей.

LG начала продажи систем лазерной литографии без фотошаблонов

литография полупроводники hbm производство чипы

Технологии nvidia чипы hbm ии технологии южная корея

Nvidia расширяет партнерство с южнокорейскими технологическими компаниями

P@prohitecавтор про «tech»

1 мес

Nvidia расширяет партнерство с южнокорейскими чипмейкерами Дженсен Хуанг встретился с президентом Южной Кореи и анонсировал очередную волну совместных проектов. Основной упор сделают на разработку памяти HBM и проектирование новых чипов совместно с Samsung и SK hynix. Среди других анонсированных инициатив — инвестиции в облачный сервис Naver, разработка корейской языковой модели с институтом KAIST и совместные проекты с Hyundai по автопилотам для бренда Genesis.

nvidia чипы hbm ии технологии южная корея

Технологии память hbm dram полупроводники sk hynix nvidia

Глава SK hynix прогнозирует исторический дефицит памяти до 2030 года

P@prohitecавтор про «tech»

1 мес

Глава SK hynix предупредил о сильнейшем дефиците памяти в истории — 2027 год станет пиком Генеральный директор SK hynix (и председатель корейской ассоциации гандбола по совместительству) Квак Но Чжон заявил Reuters, что мировой рынок памяти ожидает худший в истории дефицит предложения. По его словам, спрос на память будет превышать производственные возможности компании даже после 2030 года, несмотря на агрессивное расширение мощностей. По данным Morgan Stanley, NVIDIA зарезервировала около 60% мощностей CoWoS TSMC на 2026 год, забронировав 800–850 тыс. пластин. При этом гендиректор TSMC предупредил, что мощности 3 нм расписаны до середины 2027 года — 175 тыс. пластин в месяц оказалось недостаточно. SK hynix, Samsung и Micron — переориентируют мощности на HBM. Дополнительно рынок «сжимают» долгосрочные контракты, резервирующие мощности под крупных клиентов. TrendForce прогнозирует рост контрактных цен на DRAM в третьем квартале 2026 года на 15–18%. Это приведёт к удорожанию сборки и апгрейда ПК.

память hbm dram полупроводники sk hynix nvidia

Технологии hbm память gpu ии железо технологии

Инженеры предложили размещать чипы HBM на ребре для повышения эффективности

3@ru3dnewsавтор про «tech»

1 мес

Инженеры уложили HBM на бок — память стала быстрее, холоднее и вместительнее Инженеры придумали свежий трюк с памятью для видеокарт и ИИ‑ускорителей. Вместо привычной «башни» из чипов DRAM, как в HBM, кристаллы предлагают ставить на ребро. Так получается объёмный блок из кремниевых пластин, который влезает больше данных. При этом растёт пропускная способность и ёмкость, но без лишнего перегрева. Такая схема может дать серьёзный буст будущим GPU и чипам для ИИ. #hbm #память 📎Подробнее 🔖 3DNews в TG | MAX | VK

hbm память gpu ии железо технологии

Технологии micron hbm ии чипы инвестиции dram

Micron инвестирует $9,3 млрд в производство HBM-памяти в Японии

I@itcnewsruавтор про «tech»

1 мес

Инвестиции в ИИ: Micron строит завод HBM-памяти за $9,3 млрд Американский чипмейкер Micron официально начал расширение своего завода в японской Хиросиме. Общий объем инвестиций составит $9,3 млрд (около трети суммы покроет субсидиями правительство Японии), а запуск массового производства намечен на лето 2028 года. Фабрика сосредоточится на выпуске сверхбыстрой многослойной памяти HBM для ИИ-ускорителей вроде чипов от Nvidia. Такой шаг подтверждает, что производители уверены в долгосрочном буме искусственного интеллекта и перенаправляют основные мощности на серверный рынок. Для обычных пользователей это плохой сигнал: ждать падения цен на потребительскую оперативную память (DRAM) и SSD-накопители (NAND) в ближайшие годы точно не стоит.

micron hbm ии чипы инвестиции dram

Это всё на сейчас.