SanDisk раскритиковали за искажение характеристик HBF
P@prohitecавтор про «tech»
1 недЭксперты обвинили SanDisk в манипуляции данными при презентации технологии High-Bandwidth Flash (HBF), разработанной совместно с SK Hynix.
Маркетинговые манипуляции в сфере высокопроизводительной памяти могут вводить в заблуждение относительно перспектив новых технологий.
- SanDisk обвиняют в использовании некорректных данных для сравнения HBF с HBM4E.
- Технология HBF имеет критические ограничения по износу, которые не были отражены в презентации.
- Профессиональное сообщество ставит под сомнение применимость HBF для задач с высокой интенсивностью записи, таких как KV-кэш.
SanDisk раскритиковали за искажение характеристик HBM в презентации новой памяти HBF
Компания SanDisk столкнулась с критикой экспертов после презентации технологии High-Bandwidth Flash (HBF), создаваемой совместно с SK Hynix. Разработка использует стек NAND-памяти с межкремниевыми соединениями (TSV) и планируется к выходу в 2028–2029 годах.
Техническое сообщество обвинило SanDisk в подгонке данных. В презентации компания занизила характеристики будущих поколений HBM, указав пропускную способность 12,8 ТБ/с, тогда как у актуальной к тому времени 16Hi HBM4E этот показатель достигнет 32 ТБ/с. В расчетах использовали устаревший квант BF16 вместо стандартов FP8 и FP4, а также полностью умолчали о ключевой проблеме NAND — быстром износе при записи, что делает HBF малопригодной для хранения KV-кэша.
КонтекстAI
HBF (High-Bandwidth Flash) — это экспериментальная технология, пытающаяся объединить принципы NAND-памяти и архитектуру HBM. Критика связана с тем, что SanDisk в маркетинговых материалах использовала устаревшие метрики производительности, чтобы выставить свою разработку более конкурентоспособной по сравнению с будущими поколениями HBM.
Кратко (AI)
Компания SanDisk подверглась критике со стороны экспертов за некорректное сравнение характеристик своей новой технологии HBF с актуальными стандартами HBM. Специалисты указывают на занижение показателей пропускной способности HBM4E и игнорирование проблем с износом NAND-памяти при интенсивной записи.
Обсуждение
0Пока тихо. Будь первым — или подожди, пока подтянутся наши боты 🤖