YMTC планирует обойти Samsung и SK Hynix на рынке NAND-памяти к 2028 году Китайский производитель YMTC рассчитывает стать лидером в сегменте флэш-памяти к 2028 году. Для этого компания готовит IPO и планирует запустить пять новых заводов. Пока Samsung и SK Hynix активно перенаправляют ресурсы на DRAM и HBM, китайская компания концентрируется именно на NAND. Сейчас YMTC занимает 14% рынка, уступая Samsung с 25% и SK Hynix с 22%. Южнокорейские конкуренты уже готовят ответные шаги и модернизируют свои мощности в Китае. Samsung в первой половине 2026 года начнет переводить завод Xi'an X2 на выпуск 286-слойной NAND девятого поколения. SK Hynix расширяет площадку в Даляне на 30 тысяч пластин в месяц с запуском оборудования в октябре 2026 года.

SanDisk раскритиковали за искажение характеристик HBM в презентации новой памяти HBF Компания SanDisk столкнулась с критикой экспертов после презентации технологии High-Bandwidth Flash (HBF), создаваемой совместно с SK Hynix. Разработка использует стек NAND-памяти с межкремниевыми соединениями (TSV) и планируется к выходу в 2028–2029 годах. Техническое сообщество обвинило SanDisk в подгонке данных. В презентации компания занизила характеристики будущих поколений HBM, указав пропускную способность 12,8 ТБ/с, тогда как у актуальной к тому времени 16Hi HBM4E этот показатель достигнет 32 ТБ/с. В расчетах использовали устаревший квант BF16 вместо стандартов FP8 и FP4, а также полностью умолчали о ключевой проблеме NAND — быстром износе при записи, что делает HBF малопригодной для хранения KV-кэша.

Samsung представила концепт памяти zHBM и 400-слойную NAND Архитектура zHBM предполагает монтаж стека DRAM прямо поверх процессорного кристалла. По заявлениям разработчиков, схема даст 8-кратный прирост производительности по сравнению с HBM5, 10-кратный рост плотности и снизит тепловое сопротивление на 50%, однако сроков выхода и готового кремния у компании пока нет. Также Samsung анонсировала память V10 BV-NAND с более чем 400 слоями. В ней используется раздельное формирование периферии и ячеек на разных пластинах с последующим соединением, что увеличило плотность на 58% относительно V9 NAND. Конкретные сроки коммерциализации обеих технологий на презентации не озвучили.

Переломный 2027-й: TrendForce прогнозирует падение цен на SSD и флеш-память По данным аналитиков TrendForce, текущий год еще отыграет высокий ценник на SSD и накопители, однако уже в 2027 году дефицит NAND начнет стремительно угасать. Насыщению рынка поспособствует не только расширение мощностей гигантов вроде SK Hynix, Micron и Samsung, но и агрессивный экспансивный рост китайских чипмейкеров, чья доля на мировом рынке флеш-памяти может достичь 19%. Эксперты ожидает, что баланс спроса и предложения установится во второй половине 2027 года. Сразу за этим последует постепенное снижение цен на твердотельные накопители для конечных пользователей.

Ценовые горки: память подорожает в 4 раза, а затем резко подешевеет Аналитики Bernstein Research прогнозируют масштабный кризис цен на рынке памяти перед грядущим обвалом. Текущий дефицит разгонит стоимость компонентов до пиковых значений в ближайшие два года. 2026 год: Средняя стоимость DRAM взлетит с $0,54 до $1,56 за гигабайт, а NAND — с $0,08 до $0,30 (рост в 3–4 раза относительно 2025 года). 2027 год: Пик подорожания. Цена DRAM поднимется еще в 1,5 раза — до $2,23 за ГБ, а NAND зафиксируется на отметке $0,32. 2028 год: Перепроизводство спровоцирует обвал цен. DRAM подешевеет вдвое — до $1,05, а NAND упадет до $0,10 за гигабайт. Несмотря на падение в 2028 году, ценники все равно останутся выше докризисного уровня, но нагрузка на кошельки покупателей электроники ощутимо снизится.

Мобильное подразделение Samsung впервые за всю историю ушло в минус — виноват ИИ-бум, на котором наживаются мерзкие капиталюги, производящие память и ИИ-чипы. Nvidia, Micron, SK Hynix... эм... и Samsung?! По данным инсайдера Ice Universe, подразделение Samsung MX, отвечающее за смартфоны, во втором квартале 2026 года показало убыток в $740 млн — впервые с момента основания. Глава MX ТМ Ро предупредил руководство, что и год может завершиться с убытком. Причина — рост цен на DRAM и NAND из-за ИИ-серверов. Один суперкомпьютер потребляет столько RAM, сколько хватило бы на 4600 смартфонов. Себестоимость флагманов выросла на $100–150, причём 23% стоимости уходит на оперативную память и ещё 18% — на накопитель. По данным инсайдеров, производитель памяти Samsung отказывается продавать производсителю смартфонов Samsung память по цене ниже той, которая сформирована ИИ-гиперскейлерами, высасывающими память с рынка как пылесосом. Полупроводниковое подразделение Samsung заработало сверхприбыль $38 млрд за квартал — в семь раз больше, чем год назад. При этом, с продажами у мобильного подзразделения все тоже неплохо Galaxy S26 бьёт рекорды предзаказов в Корее, США и Европе. Ну ничего, ничего, настрадавшийся мобильный Samsung обязательно переживет капиталистический империализм и, вот увидите, не продаст смартфоны Galaxy со скидкой кремниевому подразделению, показавшему свою империалистическую натуру, в час их нужды, когда память снова будет покупаться на сдачу от покупки видеокарты как пару лет назад 😂