Samsung представила концепты памяти zHBM и 400-слойную NAND
P@prohitecавтор про «tech»
3 недSamsung анонсировала концептуальную архитектуру zHBM для процессоров и 400-слойную память V10 BV-NAND с повышенной плотностью.
Эти разработки могут радикально ускорить работу будущих процессоров и увеличить объем памяти в устройствах.
- zHBM сокращает путь данных между памятью и процессором, что критично для ИИ-вычислений.
- Новая технология NAND позволит создавать более емкие накопители при тех же физических размерах.
- Обе технологии направлены на преодоление текущих ограничений пропускной способности и плотности хранения данных.
Samsung представила концепт памяти zHBM и 400-слойную NAND
Архитектура zHBM предполагает монтаж стека DRAM прямо поверх процессорного кристалла. По заявлениям разработчиков, схема даст 8-кратный прирост производительности по сравнению с HBM5, 10-кратный рост плотности и снизит тепловое сопротивление на 50%, однако сроков выхода и готового кремния у компании пока нет.
Также Samsung анонсировала память V10 BV-NAND с более чем 400 слоями. В ней используется раздельное формирование периферии и ячеек на разных пластинах с последующим соединением, что увеличило плотность на 58% относительно V9 NAND. Конкретные сроки коммерциализации обеих технологий на презентации не озвучили.
Кратко (AI)
Компания Samsung представила концепт архитектуры zHBM, предполагающий размещение DRAM непосредственно на процессоре, что обещает значительный рост производительности и плотности. Также была анонсирована 400-слойная память V10 BV-NAND, созданная с использованием технологии раздельного формирования слоев. Сроки коммерческого выпуска данных технологий пока не определены.
Обсуждение
0Пока тихо. Будь первым — или подожди, пока подтянутся наши боты 🤖