YMTC планирует обойти Samsung и SK Hynix на рынке NAND-памяти к 2028 году Китайский производитель YMTC рассчитывает стать лидером в сегменте флэш-памяти к 2028 году. Для этого компания готовит IPO и планирует запустить пять новых заводов. Пока Samsung и SK Hynix активно перенаправляют ресурсы на DRAM и HBM, китайская компания концентрируется именно на NAND. Сейчас YMTC занимает 14% рынка, уступая Samsung с 25% и SK Hynix с 22%. Южнокорейские конкуренты уже готовят ответные шаги и модернизируют свои мощности в Китае. Samsung в первой половине 2026 года начнет переводить завод Xi'an X2 на выпуск 286-слойной NAND девятого поколения. SK Hynix расширяет площадку в Даляне на 30 тысяч пластин в месяц с запуском оборудования в октябре 2026 года.

СКРИНШОТЫ УБИВАЮТ ПАМЯТЬ Оказалось, что у меня в телефоне почти 9 тысяч скринов и явно я их никогда не разгребу. Хотя ежедневно продолжаю что-то сриншотить с мыслью «надо сохранить, чтобы не забыть». Наткнулся на свежее исследование Бингемтонского университета, что информацию, которую мы скриншотим, мы быстрее забываем. Мозг словно получает сигнал, что информация сохранена во внешнюю память и хуже потом её обрабатывает. Особенно если скринить и после не разгребать контент, не структурировать в заметки и т.д. Так что, любители скриншотить, имейте в виду, что мы делаем себе только хуже. Еще и лишнее FOMO от неразобранного склада ненужной информации.

SanDisk раскритиковали за искажение характеристик HBM в презентации новой памяти HBF Компания SanDisk столкнулась с критикой экспертов после презентации технологии High-Bandwidth Flash (HBF), создаваемой совместно с SK Hynix. Разработка использует стек NAND-памяти с межкремниевыми соединениями (TSV) и планируется к выходу в 2028–2029 годах. Техническое сообщество обвинило SanDisk в подгонке данных. В презентации компания занизила характеристики будущих поколений HBM, указав пропускную способность 12,8 ТБ/с, тогда как у актуальной к тому времени 16Hi HBM4E этот показатель достигнет 32 ТБ/с. В расчетах использовали устаревший квант BF16 вместо стандартов FP8 и FP4, а также полностью умолчали о ключевой проблеме NAND — быстром износе при записи, что делает HBF малопригодной для хранения KV-кэша.

Суперэйджеры: дело оказалось не в генах Есть люди, которые в 80 и 90 лет помнят так же хорошо, как те, кто на несколько десятилетий моложе. Их называют суперэйджерами, и память тут — именно критерий отбора: кандидатов выявляют развёрнутыми когнитивными обследованиями, а не опросником. Но сам феномен шире одной только памяти. Почти два десятилетия учёные описывают связанные с суперэйджингом черты (мозговые, биологические, психологические и социальные) и говорят об исключительном когнитивном старении в целом. Всё это время висело простое и скучное объяснение: а вдруг суперэйджерам просто повезло с генетикой? Не досталось наследственного риска болезни Альцгеймера — вот память и держится. Если бы гипотеза подтвердилась, искать суперэйджеров можно было бы обычным генетическим тестом вместо долгих когнитивных обследований. Гипотезу взяли и проверили. Исследователи из HAARC и института TGen собрали 142 суперэйджера и 89 пожилых людей с обычными для возраста показателями памяти. Из образцов крови выделили ДНК и посмотрели в первую очередь на APOE, ген с самым сильным известным влиянием на риск поздней формы Альцгеймера. Дополнительно посчитали три полигенных индекса риска — это когда информацию по тысячам вариантов генома сводят в одну оценку наследственной предрасположенности. Результат: по APOE и по полигенным индексам две группы надёжно не различаются. Отдельно поискали редкие защитные варианты, которые раньше связывали с устойчивостью к болезни, — у суперэйджеров они встречались не чаще, чем у остальных. Видимо, отсутствие факторов риска и наличие факторов защиты — совсем не одно и то же. А значит, меняется и сам вопрос. Не «почему они не заболели», а «какие активные механизмы охраняют их мозг». Среди кандидатов — структура и связность мозга, устойчивость к воспалению, состояние сердца и сосудов, сон, физическая активность, социальные связи. Одного универсального объяснения никто не ждёт. Дальше исследователи планируют совмещать когнитивные тесты с нейровизуализацией, биомаркерами крови, генетикой, нейропатологией, иммунным профилированием и отслеживанием сна и активности. @vselennayaplus

Samsung представила концепт памяти zHBM и 400-слойную NAND Архитектура zHBM предполагает монтаж стека DRAM прямо поверх процессорного кристалла. По заявлениям разработчиков, схема даст 8-кратный прирост производительности по сравнению с HBM5, 10-кратный рост плотности и снизит тепловое сопротивление на 50%, однако сроков выхода и готового кремния у компании пока нет. Также Samsung анонсировала память V10 BV-NAND с более чем 400 слоями. В ней используется раздельное формирование периферии и ячеек на разных пластинах с последующим соединением, что увеличило плотность на 58% относительно V9 NAND. Конкретные сроки коммерциализации обеих технологий на презентации не озвучили.

SanDisk и SK Hynix представили спецификацию высокоскоростной флеш-памяти HBF Компании SanDisk и SK Hynix в рамках инициативы Open Compute Project опубликовали первый стандарт памяти High Bandwidth Flash (HBF). К разработке технологии уже примкнули Google и Tensorrent. Новый тип памяти использует вертикальные стеки NAND и призван решить проблему нехватки объема классической HBM при работе с крупными ИИ-моделью на этапе инференса. HBF позиционируется не как замена HBM, а как ее дополнение в рамках одной системы. HBM берет на себя задачи, критичные к задержкам, а HBF обеспечивает масштабный объем под веса моделей. По расчетам разработчиков, 16-кристальный стек HBF вмещает 512 ГБ — это в 8–16 раз больше емкости HBM при сопоставимой стоимости. Моделирование на Llama 3.1 405B показало отставание по производительности всего на 2,2% в сравнении с чистой HBM-системой. Первые образцы памяти ожидаются во второй половине 2026 года, а коммерческие поставки намечены на 2027 год.

Китайский контроллер превращает все модули памяти нескольких серверов в общую память По мере роста объёмов данных, обрабатываемых в облачных центрах и ИИ-системах, встаёт проблема: серверы могут использовать только память, физически подключённую к их процессорам, что создаёт ограничения на масштабируемость. Китайская компания Montage Technology начала опытное производство нового контроллера памяти MXC, который может изменить подход к построению дата-центров. Устройство на базе стандарта CXL 3.2 позволяет объединять память нескольких модулей и предоставлять серверам доступ к большим объёмам данных без жёсткой привязки памяти к конкретному процессору. Если технология получит массовое распространение, будущие центры обработки данных смогут рассматривать память как общий масштабируемый ресурс, а не как фиксированный компонент каждого сервера. https://hightech.plus/2026/08/03/kitaiskii-kontroller-prevrashaet-vse-moduli-pamyati-neskolkih-serverov-v-obshuyu-pamyat