Micron представила память 3D NAND G11 с более чем 400 слоями Компания Micron анонсировала новое поколение памяти 3D NAND G11, пропустив поколение G10. Наращивание массового производства запланировано на вторую половину 2027 года. Главным технологическим изменением станет переход на гибридное соединение пластин (wafer-on-wafer bonding), при котором ячейки памяти и управляющая логика изготавливаются на отдельных кремниевых пластинах и объединяются на финальном этапе. По данным Micron, память G11 предложит более 400 слоев и удвоенную плотность записи по сравнению с текущим поколением G9. Скорость ввода-вывода вырастет на 50%, а энергопотребление на бит передаваемых данных сократится более чем на 25%. В более отдаленной перспективе компания планирует развивать плотность чипов за счет уменьшения физических размеров ячеек по осям X и Y и внедрения новых высокоподвижных материалов.