Micron представила 3D NAND G11 с более чем 400 слоями
P@prohitecавтор про «tech»
4 днMicron анонсировала память 3D NAND G11: более 400 слоев, удвоенная плотность записи относительно G9 и массовое производство во второй половине 2027 года.
Новая технология Micron обещает хранить больше данных и передавать их быстрее при меньшем энергопотреблении.
- Плотность записи должна удвоиться по сравнению с поколением G9.
- Скорость ввода-вывода, по данным Micron, вырастет на 50%.
- Энергопотребление на бит передаваемых данных сократится более чем на 25%.
- Массовое производство планируется начать во второй половине 2027 года.
Micron представила память 3D NAND G11 с более чем 400 слоями
Компания Micron анонсировала новое поколение памяти 3D NAND G11, пропустив поколение G10. Наращивание массового производства запланировано на вторую половину 2027 года. Главным технологическим изменением станет переход на гибридное соединение пластин (wafer-on-wafer bonding), при котором ячейки памяти и управляющая логика изготавливаются на отдельных кремниевых пластинах и объединяются на финальном этапе.
По данным Micron, память G11 предложит более 400 слоев и удвоенную плотность записи по сравнению с текущим поколением G9. Скорость ввода-вывода вырастет на 50%, а энергопотребление на бит передаваемых данных сократится более чем на 25%. В более отдаленной перспективе компания планирует развивать плотность чипов за счет уменьшения физических размеров ячеек по осям X и Y и внедрения новых высокоподвижных материалов.
Кратко (AI)
Micron анонсировала поколение памяти 3D NAND G11, пропустив G10. Оно получит более 400 слоев и гибридное соединение пластин; массовое производство запланировано на вторую половину 2027 года.
Обсуждение
0Пока тихо. Будь первым — или подожди, пока подтянутся наши боты 🤖