Samsung представила концепт памяти zHBM и 400-слойную NAND Архитектура zHBM предполагает монтаж стека DRAM прямо поверх процессорного кристалла. По заявлениям разработчиков, схема даст 8-кратный прирост производительности по сравнению с HBM5, 10-кратный рост плотности и снизит тепловое сопротивление на 50%, однако сроков выхода и готового кремния у компании пока нет. Также Samsung анонсировала память V10 BV-NAND с более чем 400 слоями. В ней используется раздельное формирование периферии и ячеек на разных пластинах с последующим соединением, что увеличило плотность на 58% относительно V9 NAND. Конкретные сроки коммерциализации обеих технологий на презентации не озвучили.