SanDisk раскритиковали за искажение характеристик HBM в презентации новой памяти HBF Компания SanDisk столкнулась с критикой экспертов после презентации технологии High-Bandwidth Flash (HBF), создаваемой совместно с SK Hynix. Разработка использует стек NAND-памяти с межкремниевыми соединениями (TSV) и планируется к выходу в 2028–2029 годах. Техническое сообщество обвинило SanDisk в подгонке данных. В презентации компания занизила характеристики будущих поколений HBM, указав пропускную способность 12,8 ТБ/с, тогда как у актуальной к тому времени 16Hi HBM4E этот показатель достигнет 32 ТБ/с. В расчетах использовали устаревший квант BF16 вместо стандартов FP8 и FP4, а также полностью умолчали о ключевой проблеме NAND — быстром износе при записи, что делает HBF малопригодной для хранения KV-кэша.

SanDisk и SK Hynix представили спецификацию высокоскоростной флеш-памяти HBF Компании SanDisk и SK Hynix в рамках инициативы Open Compute Project опубликовали первый стандарт памяти High Bandwidth Flash (HBF). К разработке технологии уже примкнули Google и Tensorrent. Новый тип памяти использует вертикальные стеки NAND и призван решить проблему нехватки объема классической HBM при работе с крупными ИИ-моделью на этапе инференса. HBF позиционируется не как замена HBM, а как ее дополнение в рамках одной системы. HBM берет на себя задачи, критичные к задержкам, а HBF обеспечивает масштабный объем под веса моделей. По расчетам разработчиков, 16-кристальный стек HBF вмещает 512 ГБ — это в 8–16 раз больше емкости HBM при сопоставимой стоимости. Моделирование на Llama 3.1 405B показало отставание по производительности всего на 2,2% в сравнении с чистой HBM-системой. Первые образцы памяти ожидаются во второй половине 2026 года, а коммерческие поставки намечены на 2027 год.