Исследователи Национального университета Ян Мин Цзяотун (NYCU) совместно с TSMC решили ключевую проблему двумерных полупроводников: стандартное нанесение изолирующего диэлектрика на монослой дисульфида молибдена (MoS₂i) толщиной 0,7 нм повреждало его поверхность и создавало дефекты, рассеивающие электроны и снижающие подвижность.
Решением стал промежуточный эпитаксиальный слой алюминия на поверхности MoS₂, который при окислении превратился в атомарно тонкую прослойку оксида алюминия — буфер, защищающий канал и обеспечивающий равномерный рост основного изолятора из оксида гафния (HfO₂) сверху. Это позволило одновременно снизить утечки тока и сохранить высокую подвижность электронов, приближая 2D-материалы к массовому производству чипов на реальных подложках.
ВыводБуферный слой оксида алюминия имеет толщину всего 0,42 нм
