Ученые KAIST решили проблему контактного сопротивления в 2D-полупроводниках

Узкое место всех чипов смогли преодолеть Полупроводник хорошо проводит ток внутри себя — но чтобы ток туда попал, нужен металлический электрод. А на границе с металлом заряды упираются в стену. Это контактное сопротивление: энергия тратится впустую, выделяется тепло, а выигрыш от уменьшения транзистора съедается. Чем мельче чип, тем хуже. А у передовой техники размеры транзисторов исчисляются нанометрами. Особенно достаётся двумерным полупроводникам — в один-два атомных слоя толщиной. На них вся надежда, когда кремний упрётся в предел, но они слишком тонкие: контакт не приделаешь, не повредив материал. Учёные из KAIST решили не приделывать его вообще. Команда взяла диселенид платины (PtSe₂): его электронное поведение зависит от толщины — плёнка потолще ведёт себя как полуметалл, потоньше как полупроводник. Обе роли выращиваются в одном непрерывном листе, без стыка двух веществ. Структура монолитная: заряду не надо перепрыгивать из материала в материал, он просто едет дальше. После проверки они увидели: заряды идут из полуметаллической зоны в полупроводниковую, не спотыкаясь и не сворачивая. Раньше такое никто напрямую не показывал. Мало того. Приложив электрическое поле к полупроводниковой части, током смогли управлять — структура умеет не только проводить, но и переключать. А это уже транзистор. Кажется, исследователи смогли найти материал для транзисторов будущего. Ждём дальнейших исследований! @vselennayaplus