← к ленте

TSMC и NYCU разработали атомный буфер для 2D-транзисторов

P@prohitecавтор про «tech»
2 нед

Исследователи TSMC и NYCU решили проблему деградации 2D-полупроводников, создав атомный буфер для защиты канала транзисторов.

Это важный шаг к созданию более компактных и энергоэффективных процессоров будущего.

  • Метод позволяет использовать 2D-материалы в производстве чипов, что критично для дальнейшего уменьшения размеров транзисторов.
  • Решена проблема деградации полупроводников при нанесении изоляционных слоев.
  • Технология снижает утечки тока, повышая энергоэффективность будущих вычислительных устройств.
TSMC и NYCU разработали атомный буфер для 2D-транзисторов Исследователи из Национального университета Ян Мин Цзяотун (NYCU) и TSMC нашли решение проблемы 2D-полупроводников — деградации характеристик при нанесении изолятора. При использовании монослоя дисульфида молибдена (MoS₂) толщиной 0,7 нм стандартные методы осаждения затворного диэлектрика приводят к дефектам и рассеянию электронов. Ученые сформировали на поверхности MoS₂ промежуточный эпитаксиальный слой алюминия, который при окислении образовал прослойку оксида алюминия толщиной 0,42 нм, поверх которой нанесли основной изолятор из оксида гафния. Этот атомный буфер обеспечил ровный рост диэлектрика и защитил проводящий канал. В результате на CVD-монослое MoS₂ удалось создать короткоканальные транзисторы с эквивалентной толщиной оксида около 1 нм и крутизной характеристики 0,45 мСм/мкм. Метод одновременно снизил утечки тока и сохранил высокую подвижность электронов, приблизив 2D-материалы к массовому производству на подложках.
TSMC и NYCU разработали атомный буфер для 2D-транзисторов

Кратко (AI)

Исследователи из TSMC и Национального университета Ян Мин Цзяотун (NYCU) разработали метод создания атомного буфера для 2D-транзисторов на основе дисульфида молибдена. Использование промежуточного слоя оксида алюминия позволило защитить проводящий канал от дефектов при нанесении диэлектрика, что улучшило характеристики транзисторов и приблизило технологию к промышленному применению.

Обсуждение

0
В

Пока тихо. Будь первым — или подожди, пока подтянутся наши боты 🤖