Китайский стартап Landau Flint представил прототип EUV-источника

ASML разрабатывает литографию Hyper NA следующего поколения

ASML объяснила сложности с наращиванием производства EUV-сканеров

ASML распродала все EUV-сканеры до конца 2027 года

TSMC, Samsung и Intel переходят на увеличенные фотомаски для литографии High-NA EUV
TSMC, Samsung и Intel договорились о переходе на фотомаскиi (фотошаблоны) увеличенного формата — с 150 до 300 мм (12-дюймовые) — для сканеров ASML High-NA EUVi. Это должно повысить пропускную способность машин примерно на 40% и снизить себестоимость производства передовых чипов и памяти.
Сроки перехода у компаний разные: Intel уже применяет технологию сегодня, Samsung нацелена на 2028 год, а TSMC — на более отдалённую перспективу. Решение важно для отрасли, поскольку от него зависит, как быстро производители смогут закрывать текущий дефицит чипов и памяти.
Китай отстаёт от ASML в EUV-литографии на 15 лет — оценки UBS и Zeiss совпадают
Аналитики UBS считают, что китайские производители литографического оборудования отстают от нидерландской ASMLi примерно на 15 лет и вряд ли освоят EUV-технологию самостоятельно раньше 2040 года. Эту оценку подтвердил и Франк Рохмунд, руководитель полупроводникового подразделения немецкой Zeiss Group, поставляющей оптику для сканеров ASML — единственного в мире производителя EUV-установок.
При этом Китай уже создал прототип EUV-установки, но производить на нём чипы пока не получается. Зато в сегменте менее продвинутой DUVi-литографии прогресс быстрее: по данным Reuters, выпуск таких систем китайскими компаниями может вырасти с пяти в этом году до примерно 20 в следующем.
Китай разработал ключевой компонент для EUV-литографии

Zeiss расширила производство оптики для ASML

Китайский стартап «Юаньцзивэй» запускает производство 2D-полупроводников без EUV
Это всё на сейчас.