TSMC, Samsung и Intel договорились о переходе на фотомаскиi (фотошаблоны) увеличенного формата — с 150 до 300 мм (12-дюймовые) — для сканеров ASML High-NA EUVi. Это должно повысить пропускную способность машин примерно на 40% и снизить себестоимость производства передовых чипов и памяти.

Сроки перехода у компаний разные: Intel уже применяет технологию сегодня, Samsung нацелена на 2028 год, а TSMC — на более отдалённую перспективу. Решение важно для отрасли, поскольку от него зависит, как быстро производители смогут закрывать текущий дефицит чипов и памяти.

• Intel уже использует крупноформатные фотомаски для High-NA EUV на процессах 18A и 18A-P при выпуске процессоров Panther Lake; через эти процессы прошло более миллиона пластин
• Samsung планирует массовое внедрение технологии с 2028 года и, в отличие от конкурентов, будет печатать на новых машинах не только логику, но и память DRAM
• TSMC начнёт использовать High-NA EUV в передовых техпроцессах с 2030 года, а серийное производство с крупноформатными фотомасками запустит только к 2033 году
• По данным Droider, ASML начнёт тестирование 12-дюймовых фотошаблонов в 2031 году, а массовое производство таких шаблонов ожидается к 2033 году
• Технический директор ASML заявил, что новые маски повысят производительность машин примерно на 40% и устранят необходимость «сшивки» крупных чипов из нескольких кусков
• Фотомаски (фотошаблоны) — трафареты, через которые рисунок переносится на кремниевую пластину; их текущий ограниченный размер заставляет собирать крупные чипы по частям методом «сшивки»