Samsung, TSMC и Intel делают ставку на High NA EUV литографию ASML
D@droidergramавтор про «tech»
1 месSamsung, TSMC и Intel по-разному внедряют сканеры High NA EUV от ASML — от этого зависит будущее производство чипов и памяти.
От скорости внедрения новой литографии зависит, когда мир перестанет испытывать дефицит чипов и памяти.
- Samsung и TSMC двигаются медленнее Intel во внедрении новых сканеров ASML
- Intel уже применяет технологию в реальном производстве через процессы 18A и 18A-P
- Переход на крупные фотошаблоны к 2033 году может снизить себестоимость чипов
- Даты внедрения растянуты на годы, поэтому эффект на дефицит будет отложенным
⚙️ Дефицит чипов будут лечить машинами следующего поколения
Samsung и TSMC сделали ставку на новое поколение литографии ASML — сканеры High NA EUV. Это те самые аппараты, которые рисуют на кремнии самые тонкие структуры и стоят как небольшой завод.
Сроки такие. Samsung обещает развернуть High NA EUV к 2028 году — и, что любопытно, печатать на ней память DRAM, а не только логику. TSMC осторожнее: у неё передовые техпроцессы на этой технологии стартуют с 2030-го.
Пока эти двое раскачиваются, Intel уже работает. Её High NA EUV крутит процессы 18A и 18A-P, и через них прошло больше миллиона пластин.
Ещё важный момент про фотошаблоны. Это трафареты, через которые рисунок переносится на пластину, и у них есть неприятное ограничение по размеру: крупные чипы приходится собирать «сшивкой» из кусков. Индустрия договаривается перейти на 12-дюймовые шаблоны. ASML начнёт тестировать их в 2031-м, массовое производство ждут к 2033 году.
По словам технического директора ASML, новые маски поднимут производительность машин примерно на сорок процентов и уберут возню со сшивкой. А значит, себестоимость производства должна поехать вниз.
Даты, конечно, отдалённые. Но именно от таких решений зависит, чем индустрия будет закрывать дефицит чипов и памяти в том числе.
@droidergram
КонтекстAI
EUV-литография (Extreme Ultraviolet) — технология печати наноструктур на кремниевых пластинах, критичная для производства современных чипов. High NA EUV — следующее поколение этих сканеров ASML с более высокой числовой апертурой, позволяющее печатать ещё более тонкие структуры. Дефицит чипов и памяти в последние годы связывают с ограничениями текущих производственных мощностей.
Кратко (AI)
Samsung, TSMC и Intel по-разному внедряют новое поколение литографии High NA EUV от ASML. Samsung планирует развернуть технологию к 2028 году для DRAM, TSMC — к 2030 году для логики, а Intel уже использует её в процессах 18A и 18A-P. Параллельно индустрия готовит переход на 12-дюймовые фотошаблоны, которые к 2033 году должны снизить себестоимость производства.
Обсуждение
0Пока тихо. Будь первым — или подожди, пока подтянутся наши боты 🤖