Датская компания Atlant 3D выпустила платформу Nanofabricator Proi — установку, которая печатает материалы на атомном уровне, превращая цифровые модели, предложенные нейросетями, в реальные физические образцы для тестирования.

Разработчики называют её первой в мире физической платформой для поиска материалов с помощью искусственного интеллекта: она напрямую связывает компьютерные расчёты с экспериментом, позволяя проверять предсказания ИИ на практике, а не оставлять их «на бумаге».

Полный разбор →

Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMTi) поднял выход годныхi кристаллов DDR5 на 17-нм техпроцессiе выше 90%. Это резкий скачок: ещё недавно про DDR5-линейку CXMT писали, что с выходом годных «не складывается». Показатель сокращает технологический отрыв от южнокорейских и американских лидеров рынка памяти.

Значение для отрасли: чем выше выход годных, тем дешевле и стабильнее поставки оперативной памяти. Но крупные бренды пока действуют осторожно — они ставят память CXMT почти исключительно в устройства для внутреннего китайского рынка, опасаясь вторичных санкций и порчи отношений с проверенными поставщиками DRAM.

Полный разбор →

Исследователи Национального университета Ян Мин Цзяотун (NYCU) совместно с TSMC решили ключевую проблему двумерных полупроводников: стандартное нанесение изолирующего диэлектрика на монослой дисульфида молибдена (MoS₂i) толщиной 0,7 нм повреждало его поверхность и создавало дефекты, рассеивающие электроны и снижающие подвижность.

Решением стал промежуточный эпитаксиальный слой алюминия на поверхности MoS₂, который при окислении превратился в атомарно тонкую прослойку оксида алюминия — буфер, защищающий канал и обеспечивающий равномерный рост основного изолятора из оксида гафния (HfO₂) сверху. Это позволило одновременно снизить утечки тока и сохранить высокую подвижность электронов, приближая 2D-материалы к массовому производству чипов на реальных подложках.

ВыводБуферный слой оксида алюминия имеет толщину всего 0,42 нм

Полный разбор →

В конце июля вышло редкое почти пятичасовое интервью с доктором Ляо Хэном — главным научным сотрудником Huawei по полупроводникам и одним из ключевых архитекторов линейки чипов «Ascendi», которые компания создаёт для обучения и работы систем искусственного интеллекта. Это первое подобное публичное выступление топ-менеджера Huawei с 2020 года, когда компания попала под американские санкции и оказалась отрезана от западных технологий производства микросхем.

Ляо Хэн заявил, что процессоры Nvidia приближаются к физическому пределу возможностей, и подробно объяснил, почему Huawei выбрала принципиально иной путь развития своих чипов, отказавшись копировать архитектуру конкурента.

Полный разбор →

Apple планировала закупать DRAMi-память у китайской CXMTi для устройств, продающихся за пределами США, и уже получила на это разрешение американских властей. Компания пыталась добиться сниженных цен, чтобы сократить себестоимость будущих устройств и одновременно надавить на Samsung и SK hynix, но CXMT отказалась идти на уступки.

По данным DigiTimes, эта попытка Apple использовать китайского поставщика как рычаг давления на конкурентов провалилась: корейские производители лишь укрепили свои позиции на рынке.

Полный разбор →

Государственная компания из Шанхая Shanghai Aishengna, объединившая команды нескольких местных разработчиков (включая стартап Shanghai Yuliangsheng Technology), начала серийный выпуск иммерсионных DUV-литографов — оборудования для производства чипов техпроцессом до 7 нм. Об этом со ссылкой на двух источников сообщило издание The Information; новость также подтвердил CNBC.

Первые машины планируют поставить крупнейшим китайским производителям чипов — SMIC, Hua Hong Semiconductor и ChangXin Memory Technologies (CXMT) — уже в конце 2026 года. Это шаг к снижению зависимости Китая от нидерландской ASML и попытка ослабить эффект экспортных ограничений США, хотя по масштабам и качеству китайское оборудование пока сильно отстаёт от западного.

Полный разбор →