В III квартале 2026 года мировые поставки смартфонов упали на 20% год к году — это минимум для данного периода с 2012 года, по данным исследовательской компании Counterpoint Researchi. Причина — резкий рост спроса на AI-чипы, из-за которого подорожала и стала дефицитной память, что потянуло за собой цены на комплектующие в целом.
Производители переложили возросшие издержки на покупателей: с начала 2026 года цены на смартфоны выросли примерно на 20%. В ответ потребители стали дольше пользоваться старыми телефонами и чаще покупать восстановленные устройстваi, что ещё сильнее просадило рынок новых смартфонов.
Samsung планирует урезать производство смартфонов на 20–30% — собственные телефоны перестали приносить прибыль из-за резкого подорожания оперативной памяти. Мобильное подразделениеi компании, по разным оценкам, может по итогам года получить либо убыток около $14 млрд, либо падение операционной прибыли более чем на 60%.
Парадокс в том, что сама Samsung при этом выигрывает: подразделение памяти может принести рекордную квартальную прибыль, а по итогам 2026 года — больше, чем за предыдущие 40 лет работы компании вместе взятые, что потенциально выведет Samsung в самую прибыльную компанию в мире, обогнав Nvidia.
Китайская CXMT первой в мире начнёт поставлять передовую DDR5 с вертикальными транзисторами в конце этого года
Китайская CXMT заявила, что к концу года начнёт поставки серверной DDR5 с вертикальными транзисторами. Архитектура 4F2 уменьшает площадь ячеек, повышает плотность памяти и снижает утечки тока. Компания уже владеет более чем 300 патентными семействами, связанными с этой технологией. Samsung, SK hynix и Micron тоже разрабатывают похожие решения, но до массового производства пока не дошли.
#cxmt #dram #rdimm #производствомикросхем
📎Подробнее
🔖 3DNews в TG | MAX | VK
Группа из 90 ИИ-агентов на базе модели Claude Opus 5.5 за три дня выявила два полупроводниковых материала с уникальными магнитными свойствами. Исследование, проведенное компанией Vals AI, открывает путь к созданию более плотной и быстрой компьютерной памяти.
Найденные соединения относятся к классу Luttinger-compensatediы электронов.">i материалов, которые сочетают способность сортировать электроны по спину с отсутствием внешнего магнитного поля. Это позволяет избежать взаимных помех между соседними ячейками памяти, сохраняя при этом высокую скорость переключения.
ВыводПервый материал был спроектирован ИИ с нуля, однако его практический синтез может быть затруднен.
Дефицит памяти может затянуться до 2028 года
Micron уже продала большую часть производственных мощностей на 2027 год и ожидает дальнейшего дефицита DRAM и HBM. Глава компании Санджай Мехротра считает, что спрос будет превышать предложение как минимум до 2028 года, а цены продолжат расти.
Новые фабрики Micron начнут работать в 2028 году, но быстро решить проблему они не смогут. Компания пока не видит чётких признаков того, когда рынок вернётся к балансу.
Montage Technology запустила серийный выпуск чипов тактовой частоты для планок DDR5
Китайский чипмейкер Montage Technology начал массовое производство драйверов тактовой частоты CKD для памяти DDR5. Для ПК и ноутбуков компания подготовила микросхему CK01P с предельной скоростью 9200 МТ/с. Её будут ставить в модули CUDIMM, CSODIMM, CQDIMM и CAMM. Для серверных планок RDIMM предназначен чип RCD05 со скоростью до 8000 МТ/с — это на 11% быстрее контроллеров предыдущего поколения RCD04.
После установки macOS 27 Golden Gatei система автоматически и без возможности отказа загружает ИИ-модели Apple Intelligencei, при этом фактический объём занятого места оказался значительно выше заявленного Apple. Пользователи и издания фиксируют расхождения от 6 до более чем 20 ГБ сверх указанных компанией лимитов, а причину этого Apple не объясняет.
Проблема касается именно Mac — на iPhone и iPad с iOS 27 и iPadOS 27 подобного превышения объёма моделей не зафиксировано.
Автор Bilibili-канала HOMOLAB провёл FIO-тесты флеш-памяти iPhone 18 Pro Max на 1 ТБ и обнаружил, что в этой версии используется более дешёвая QLC NANDi-память, тогда как младшие модификации (включая iPhone 18 Pro на 512 ГБ) оснащены быстрой TLC-памятьюi. В смешанных тестах TLC-версия на 512 ГБ обогнала QLC-накопитель на 1 ТБ на 38%.
Проблема проявляется не в повседневных задачах — там работу компенсирует буферный SLC-кэшi, — а при длительной записи больших объёмов данных: съёмке 4K/ProRes видео, переносе крупных файлов и восстановлении из бэкапа, когда скорость записи резко проседает.
ВыводТестировался Apple iPhone 18 Pro Max с накопителем на 1 ТБ; сравнение проводилось с iPhone 18 Pro на 512 ГБ с TLC-памятью.
1 ТБобъём накопителя с QLC-памятью
38%преимущество TLC-версии над QLC в тестах
1,1 МБ/сминимальная скорость записи при заполнении на 60%
