Исследователи из университетов Мичигана и Висконсина разрабатывают M3BOLT — экспериментальный транзистор, передающий информацию магнитными и звуковыми волнами вместо электронов. Такие устройства могут ускорить вычисления в 100–1000 раз и снизить энергопотребление, но проект пока на ранней стадии.

Разработка предлагает альтернативу традиционным транзисторам на фоне прогнозов, что примерно к 2037 году они достигнут предела энергетической эффективности. Первые результаты M3BOLT ожидаются не раньше середины 2030-х годов.

ВыводУстройство состоит из слоёв сегнетоэлектрика PMN-PT и сплава железа с галлием: электрическое поле меняет магнитное состояние материала и запускает волны.

Полный разбор →

Исследователи из Китая разработали предварительную технологию производства транзисторов с нормами менее 3 нм на основе архитектуры Gate-All-Around (GAAi) с использованием DUVi">i-литографии — то есть без доступа к запрещённым для Китая EUV-установкам ASML.

Это потенциально открывает путь к обходу экспортных санкций на передовое литографическое оборудование, критичных для развития китайской полупроводниковой отрасли, хотя до массового производства технология пока далека.

ВыводДля достижения 3-нм нормы без EUV предлагается многократно наносить рисунок на пластины (мультипаттернинг), что усложняет и удорожает производственный процесс

Полный разбор →

Исследователи Национального университета Ян Мин Цзяотун (NYCU) совместно с TSMC решили ключевую проблему двумерных полупроводников: стандартное нанесение изолирующего диэлектрика на монослой дисульфида молибдена (MoS₂i) толщиной 0,7 нм повреждало его поверхность и создавало дефекты, рассеивающие электроны и снижающие подвижность.

Решением стал промежуточный эпитаксиальный слой алюминия на поверхности MoS₂, который при окислении превратился в атомарно тонкую прослойку оксида алюминия — буфер, защищающий канал и обеспечивающий равномерный рост основного изолятора из оксида гафния (HfO₂) сверху. Это позволило одновременно снизить утечки тока и сохранить высокую подвижность электронов, приближая 2D-материалы к массовому производству чипов на реальных подложках.

ВыводБуферный слой оксида алюминия имеет толщину всего 0,42 нм

Полный разбор →