Исследователи из Китая разработали предварительную технологию производства транзисторов с нормами менее 3 нм на основе архитектуры Gate-All-Around (GAAi) с использованием DUVi">i-литографии — то есть без доступа к запрещённым для Китая EUV-установкам ASML.

Это потенциально открывает путь к обходу экспортных санкций на передовое литографическое оборудование, критичных для развития китайской полупроводниковой отрасли, хотя до массового производства технология пока далека.

• Для достижения 3-нм нормы без EUV предлагается многократно наносить рисунок на пластины (мультипаттернинг), что усложняет и удорожает производственный процесс
• Технология находится на ранней стадии и пока не готова к коммерческому производству
• Перед массовым выпуском нужно проверить подход на реальных производственных линиях, наладить межсоединения и повысить выход годных чипов
• Параллельно Huawei ищет способ добиться плотности транзисторов на уровне 1,4 нм за счёт архитектурных решений, а не физического перехода на такой техпроцесс
• Доступ к EUV-оборудованию ASML для китайских производителей ограничен санкциями