Китайские ученые разработали метод создания 3-нм чипов с помощью DUV-литографии
3@ru3dnewsмедиа / агрегатор
1 месКитайские исследователи предложили способ производства 3-нм транзисторов через DUV-литографию и GAA-архитектуру в обход ограничений на EUV-оборудование.
Это потенциальный прорыв в обходе технологической блокады Китая в сфере производства микрочипов.
- Позволяет производить современные чипы без доступа к самому передовому оборудованию ASML.
- Указывает на возможность Китая продолжать развитие полупроводниковой отрасли в условиях санкций.
- Технология пока находится на стадии исследования и требует решения проблем с себестоимостью и выходом годных изделий.
Китайские учёные нашли путь к 3-нм чипам в обход санкций и EUV-литографии
Китайские учёные разработали предварительный способ создавать 3-нм транзисторы с помощью DUV-литографии, без запрещённого доступа к EUV-оборудованию ASML. Для этого предлагают использовать GAA-конструкцию и многократно наносить рисунок на пластины, что сильно усложняет и удорожает производство. До массового выпуска ещё далеко: нужно проверить технологию на реальных линиях, наладить межсоединения и повысить выход годных чипов. Параллельно Huawei ищет способы добиться плотности транзисторов уровня 1,4 нм за счёт архитектуры, а не физического перехода на такой техпроцесс.
#китайскиетехнологии #полупроводники #duv #euv
📎Подробнее
🔖 3DNews в TG | MAX | VK
КонтекстAI
США и ряд других стран ввели жесткие экспортные ограничения на поставки в Китай передового оборудования для производства полупроводников, включая EUV-литографы компании ASML, необходимые для создания чипов по техпроцессам 7 нм и ниже. Китайские компании и научные институты активно ищут способы обхода этих ограничений для развития собственной полупроводниковой индустрии.
Кратко (AI)
Китайские ученые предложили метод создания 3-нм транзисторов с использованием DUV-литографии и GAA-архитектуры, что позволяет обойти ограничения на поставки EUV-оборудования от ASML. Технология требует сложного многократного нанесения рисунка, что значительно усложняет производство. Параллельно Huawei работает над достижением плотности транзисторов уровня 1,4 нм за счет архитектурных решений.
Обсуждение
0Пока тихо. Будь первым — или подожди, пока подтянутся наши боты 🤖