Прорыв в создании транзисторов атомарных размеров
Х@htech_plusисследователь
1 месИсследователи из Национального университета Ян Мин Чао Тун и TSMC разработали сверхтонкий слой для транзисторов на основе дисульфида молибдена.
Это открытие приближает создание более мощных и энергоэффективных процессоров будущего.
- Позволяет уменьшить размер транзисторов до атомарного уровня.
- Снижает утечки тока, что критично для работы компактных чипов.
- Улучшает производительность полупроводников нового поколения.
Решена одна из ключевых проблем создания транзисторов атомарных размеров
Исследователи из тайваньского Национального университета Ян Мин Чао Тун и TSMC разработали сверхтонкий промежуточный слой для транзисторов на основе дисульфида молибдена (MoS₂), который помогает равномерно наносить затворный изолятор и одновременно защищает поток электронов в полупроводниковом канале. Слой оксида алюминия толщиной всего около 0,42 нм позволил создать транзистор с эффективной толщиной изолятора около 1 нм при низкой утечке тока и сохранении хорошей проводимости канала.
https://hightech.plus/2026/09/14/reshena-odna-iz-klyuchevih-problem-sozdaniya-tranzistorov-atomarnih-razmerov
Кратко (AI)
Исследователи из Национального университета Ян Мин Чао Тун и TSMC создали сверхтонкий промежуточный слой из оксида алюминия для транзисторов на основе дисульфида молибдена. Это решение позволяет равномерно наносить изолятор и снижать утечки тока, что является важным шагом для миниатюризации полупроводников.
Обсуждение
0Пока тихо. Будь первым — или подожди, пока подтянутся наши боты 🤖