Компания Micron Technologyi, свернувшая в конце 2025 года выпуск потребительской памяти под брендом Cruciali, начала отказываться от замены бракованных модулей DDR5i и предлагать вместо этого денежную компенсацию по первоначальной чековой стоимости. Из-за роста цен на DDR5 и дефицита складских запасов выплаты оказались значительно ниже текущей рыночной стоимости аналогичных комплектов.
Ситуация получила огласку после жалобы владельца неисправного комплекта памяти, которому предложили компенсацию всего в 37% от актуальной цены. Только после публичного резонанса Micron пересмотрела условия и заменила бракованный товар.
Модули оперативной памяти на чипах китайской компании CXMTi, собранные под брендом Colorful, заработали на частоте DDR5-8800 — тест провели на плате AMD X870Ei. Это резкий скачок: ещё полгода назад продукция CXMT с трудом дотягивала до 6000 МГц.
Результат сопоставим с дорогими комплектами на чипах SK hynixi, а значит CXMT, четвёртый по величине производитель DRAM в мире, действительно догоняет лидеров рынка после того, как её долго недооценивали из-за скромных характеристик.
ВыводCXMT — четвёртый по величине производитель оперативной памяти в мире
Исследователи Национального университета Ян Мин Цзяотун (NYCU) совместно с TSMC решили ключевую проблему двумерных полупроводников: стандартное нанесение изолирующего диэлектрика на монослой дисульфида молибдена (MoS₂i) толщиной 0,7 нм повреждало его поверхность и создавало дефекты, рассеивающие электроны и снижающие подвижность.
Решением стал промежуточный эпитаксиальный слой алюминия на поверхности MoS₂, который при окислении превратился в атомарно тонкую прослойку оксида алюминия — буфер, защищающий канал и обеспечивающий равномерный рост основного изолятора из оксида гафния (HfO₂) сверху. Это позволило одновременно снизить утечки тока и сохранить высокую подвижность электронов, приближая 2D-материалы к массовому производству чипов на реальных подложках.
ВыводБуферный слой оксида алюминия имеет толщину всего 0,42 нм
