Micron представила модуль памяти DDR5 RDIMM на 512 ГБ
P@prohitecавтор про «tech»
1 месMicron анонсировала модуль DDR5 RDIMM объемом 512 ГБ со скоростью 9200 МТ/с, обеспечивающий высокую плотность памяти для серверных систем.
Новый стандарт плотности оперативной памяти позволяет значительно увеличить вычислительные мощности серверов.
- Позволяет разместить до 12 ТБ оперативной памяти в стандартном двухпроцессорном сервере.
- Снижает энергопотребление на 60% по сравнению с использованием нескольких модулей меньшего объема.
- Ускоряет работу с большими данными на 40%.
Micron создала модуль памяти DDR5 RDIMM на 512 ГБ
Компания Micron представила первый модуль DDR5 RDIMM объемом 512 ГБ, работающий со скоростью до 9200 МТ/с. Высокой плотности добились за счет вертикальной компоновки кристаллов памяти, соединенных через сквозные кремниевые каналы (TSV). Это позволяет установить до 12 ТБ оперативной памяти в стандартный двухпроцессорный сервер.
По заявлениям Micron, новинка на 60% энергоэффективнее связки из четырех модулей RDIMM по 128 ГБ. В компании также утверждают, что в задачах аналитики данных прирост производительности достигает 40% по сравнению с системами на модулях по 256 ГБ.
Кратко (AI)
Компания Micron выпустила модуль памяти DDR5 RDIMM объемом 512 ГБ, использующий технологию вертикальной компоновки кристаллов с TSV. Новинка позволяет увеличить объем оперативной памяти в серверах до 12 ТБ и демонстрирует значительный прирост энергоэффективности и производительности в задачах аналитики.
Обсуждение
0Пока тихо. Будь первым — или подожди, пока подтянутся наши боты 🤖