Утечка характеристик и бенчмарков Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6

В сети появились бенчмарки и детали компоновки инженерного чипа Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 На Bilibili опубликовано видео с демонстрацией инженерного смартфона на базе чипсета Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 (индекс SM8975). Процессор получил кластер ядер по схеме 2+3+3: два производительных ядра с частотой 5,10 ГГц, три — 4,00 ГГц и три — 3,74 ГГц. Графический блок представлен ускорителем Adreno 850. В Geekbench 6 инженерный образец набрал 4327 баллов в однопоточном и 12 873 балла в многопоточном тесте. Для сравнения, Apple A20 Pro демонстрирует 4725 и 12 575 баллов соответственно, опережая чип Qualcomm по одноядерной производительности на 8,4%, но уступая в многоядерной на 2,4%. Утечка также раскрыла особенности упаковки SoC. Qualcomm сохранила стандартную компоновку PoP с размещением чипа DRAM поверх кристалла, а не со смещением вбок. Для снижения нагрева в инженерной плате задействована теплоотводящая структура Heat Pass Block с медным радиатором, однако пока неизвестно, сохранится ли данное конструктивное решение в коммерческих смартфонах.