Продление закона Мура — переход на атомные размеры и 3D-архитектуру Пока на Хабре хоронят закон Мура, несколько команд показали, куда двигаться дальше. В Пекинском университете сделали ферроэлектрический транзистор с затвором в 1 нанометр, это меньше двойной спирали ДНК, и уронили рабочее напряжение до 0,6 В. IBM на симпозиуме VLSI показала кремниевый канал толщиной пятнадцать атомов и 3D-архитектуру Nanostack, где транзисторы ставятся в два слоя друг над другом. В чипе почти сто миллиардов транзисторов, а плотность против 2-нанометровой версии выросла почти вдвое. Параллельно в Шанхае собрали флэш-память на двумерном материале в десять атомов толщиной и получили выход годных изделий 94,34%. Разговоры о смерти закона Мура, кажется, немного преувеличены.