Samsung, SK hynix и Micron обвинили в картельном сговоре на рынке DRAM

Samsung, SK hynix и Micron обвинили в сговоре и искусственном дефиците памяти В окружной суд Калифорнии поступил коллективный иск против трех крупнейших производителей оперативной памяти, которые вместе контролируют около 90% мирового рынка DRAM. Истцами выступили 14 розничных покупателей и три небольшие компьютерные мастерские. Они обвиняют компании в намеренном ограничении поставок стандартной памяти ради завышения цен. По заявлению истцов, за четыре года ценники выросли примерно на 700%. В иске утверждается, что Samsung, SK hynix и Micron использовали массовый переход на выпуск многослойной памяти HBM для систем искусственного интеллекта как прикрытие. Под этим предлогом производители синхронно урезали выпуск ходовых модулей DDR3 и DDR4, чтобы создать дефицит. По мнению заявителей, компании пошли на этот шаг без опасений перед конкурентами, так как постройка новых заводов требует десятков миллиардов долларов и занимает годы. Теперь от ответчиков требуют выплаты тройной компенсации ущерба. Подобное дело против этой тройки суды в США уже рассматривали. Иск от 2018 года с похожими обвинениями отклонили, списав действия компаний на обычные законы рынка. В новом разбирательстве юристы делают ставку именно на фактор HBM как на свежее доказательство сговора.